特許
J-GLOBAL ID：201303078626786828

受光素子、半導体エピタキシャルウエハ、検出装置および受光素子の製造方法

発明者：
三浦 広平

三浦 広平 について

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稲田 博史

稲田 博史 について

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猪口 康博

猪口 康博 について

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斉藤 格

斉藤 格 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-123515
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251341
出願日： 2012年05月30日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】 近赤外域〜中赤外域にわたって高い受光感度を持ち、経済性を維持しながら安定して高品質が得られる、受光素子等を提供する。【解決手段】 波長3μm〜12μmの光に透明なInP基板と、InP基板上にエピタキシャル成長した中間層と、その中間層に接して位置するGaSbバッファ層と、GaSbバッファ層上にエピタキシャル成長したタイプ2の多重量子井戸構造である受光層とを備え、GaSbバッファ層が形式的な格子整合条件の範囲を超えながら、中間層にエピタキシャル成長していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体により形成された受光素子であって、 波長3μm〜12μmの光に透明なInP基板と、 前記InP基板上にエピタキシャル成長した中間層と、 前記中間層に接して位置するバッファ層と、 前記バッファ層上にエピタキシャル成長し、カットオフ波長3μm以上のタイプ2の多重量子井戸構造である受光層とを備え、 格子定数a2を持つ前記バッファ層、格子定数a1を持つ前記中間層、および格子定数aoを持つ前記InP基板において、|a1-ao|/ao、の値が形式的な格子整合条件の範囲内にあり、|a2-a1|/a1、および|a2-ao|/ao、の値が形式的な格子整合条件の範囲を超えながら、当該バッファ層が前記中間層にエピタキシャル成長しており、 前記バッファ層が、GaSb層から構成されていることを特徴とする、受光素子。
IPC (4件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/144 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 F ,  H01L21/205
Fターム (44件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118EA14 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118HA31 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB11 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA13 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA06 ,  5F049QA16 ,  5F049QA18 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ13 ,  5F049TA01 ,  5F049TA05 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件)
  • Growth and characterization of GaAsSb metamorphic samples on an InP substrate
審査官引用 (1件)
  • Growth and characterization of GaAsSb metamorphic samples on an InP substrate

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