特許
J-GLOBAL ID：201803012608043806
受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-237858
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093149
出願日： 2016年12月07日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：
【課題】接合面積が小さくても光結合効率の低下や実装トレランスの低下を低減できる構造を持った受光素子を製造する際に、従来必要であったレンズとPDとのアライメントを不要とすることにより、工程数および使用装置が削減して、低コストに製造可能な高速な応答特性を有する受光素子を提供すること。【解決手段】フォトダイオードと、前記フォトダイオードに隣接して形成されたレンズとを第1の面に有する半導体基板を備えた受光素子であって、前記半導体基板は、前記第1の面に対向する第2の面が、当該半導体基板に入射した光を基板内に反射する加工がなされていることを特徴とする受光素子である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
フォトダイオードと、前記フォトダイオードに隣接して形成されたレンズとを第1の面に有する半導体基板を備えた受光素子であって、
前記半導体基板は、前記第1の面に対向する第2の面が、当該半導体基板に入射した光を基板内に反射する加工がなされていることを特徴とする受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F849AA04
, 5F849AB07
, 5F849BA26
, 5F849BB01
, 5F849GA06
, 5F849HA03
, 5F849HA09
, 5F849XB05
審査官引用 (5件)
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受光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-144115
出願人：日本オプネクスト株式会社
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半導体受光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-321433
出願人：株式会社日鉱共石
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光センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-181426
出願人：ミノルタ株式会社
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