特許

J-GLOBAL ID：201803012647041012

金属化合物の製造方法、光触媒の製造方法、および光触媒複合体の製造方法

発明者： 新城 亮 ,  林 利生 ,  工藤 昭彦 ,  岩瀬 顕秀
出願人/特許権者： 三井化学株式会社 ,  学校法人東京理科大学 ,  人工光合成化学プロセス技術研究組合
代理人 (2件)： 正林 真之 ,  林 一好
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-198472
公開番号（公開出願番号）：特開2018-058733
出願日： 2016年10月06日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：

【課題】カルコパイライト型結晶構造を有する金属化合物ないし光触媒の可視光照射下における水素生成活性および光触媒電極の光電気化学特性を向上することができ、低温・短時間の加熱条件で、大気中でも製造することができる、金属化合物の製造方法、光触媒の製造方法、および光触媒複合体の製造方法。【解決手段】硫化第一銅、硫化ガリウム、硫化インジウム、及び硫化亜鉛を含む金属硫化物の混合物を、金属塩化物の共存下に、400〜800°Cにおいて熱処理することを含む、下記一般式で表されるカルコパイライト型結晶構造を有する金属化合物の製造方法。一般式:CuxGax-y+kIny+jZn2(1-x)+mA2+n(x、y、k、j、m及びnは下記条件を満たし、AはSまたはSe;0<x<1;0≦y≦1;x>y;0≦k≦0.2;0≦j≦0.2;0≦m≦0.2;0≦n≦0.8;n=3/2k+3/2j+m)【選択図】図12

請求項（抜粋）：

硫化第一銅(Cu2S)、硫化ガリウム(Ga2S3)、硫化インジウム(In2S3)、及び硫化亜鉛(ZnS)を含む金属硫化物の混合物を、金属塩化物の共存下に、400°C以上、800°C以下において熱処理することを含む、下記一般式で表されるカルコパイライト型結晶構造を有する金属化合物の製造方法。 一般式: CuxGax-y+kIny+jZn2(1-x)+mA2+n (上記式中、x、y、k、j、m及びnは下記条件を満たし、AはSまたはSeを示す。 0<x<1、0≦y≦1、x>y、0≦k≦0.2、0≦j≦0.2、 0≦m≦0.2、0≦n≦0.8、n=3/2k+3/2j+m)

IPC (6件)：

C01G 3/12 ,  B01J 37/08 ,  B01J 27/04 ,  B01J 35/02 ,  B01J 27/045 ,  C01B 3/04

FI (6件)：

C01G3/12 ,  B01J37/08 ,  B01J27/04 M ,  B01J35/02 J ,  B01J27/045 M ,  C01B3/04 A

Fターム (42件)：

4G169AA02 ,  4G169BA48A ,  4G169BB08C ,  4G169BB09A ,  4G169BB09B ,  4G169BC03A ,  4G169BC04A ,  4G169BC17A ,  4G169BC17B ,  4G169BC18A ,  4G169BC18B ,  4G169BC31A ,  4G169BC31B ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC35A ,  4G169BC35B ,  4G169BC36A ,  4G169BC36B ,  4G169BC70A ,  4G169BC70B ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BD08A ,  4G169BD08B ,  4G169BD09A ,  4G169BD12C ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169EC22X ,  4G169EC25 ,  4G169FA01 ,  4G169FB29 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  4G169HA02 ,  4G169HA14 ,  4G169HB10 ,  4G169HE09 ,  4G169HF02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光触媒およびその製造方法並びに水素ガス発生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-237962   出願人：学校法人東京理科大学
• 可視光を全吸収する水素生成のための黒色光触媒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-365794   出願人：学校法人東京理科大学