p型酸化物製造用組成物、及びp型酸化物の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-074467
公開番号（公開出願番号）：特開2018-148216
出願日： 2018年04月09日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：

【課題】優れた特性、即ち、十分な導電性が得られ、比較的低温の実用的な条件で製造することができ、組成比の調整によって導電性を制御することが可能な特性を有する新規なp型酸化物などの提供。【解決手段】組成式xAO・yCu2O(xとyはモル比率を表し、0≦x<100、かつx+y=100である。)で表されるアモルファス酸化物からなり、前記Aが、Mg、Ca、Sr、及びBaから選択される少なくともいずれかを含むp型酸化物である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

組成式xAO・yCu2O(xとyはモル比率を表し、0≦x<100、かつx+y=100である。)で表されるアモルファス酸化物からなり、前記Aが、Mg、Ca、Sr、及びBaから選択される少なくともいずれかを含むことを特徴とするp型酸化物。

IPC (11件)：

H01L 29/24 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/329 , H01L 21/368 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H01L 27/32 , H05B 33/14 , C01G 3/00 , H01L 29/786

FI (11件)：

H01L29/24 , H01L29/91 F , H01L29/91 A , H01L29/91 C , H01L21/368 Z , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H01L27/32 , H05B33/14 Z , C01G3/00 , H01L29/78 618B

Fターム (66件)：

2H192AA24 , 2H192CB03 , 2H192CB06 , 2H192CB37 , 2H192DA01 , 2H192HA23 , 2H192HA90 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107BB06 , 3K107BB08 , 3K107CC12 , 3K107CC33 , 3K107EE04 , 3K107FF14 , 3K107HH05 , 5F053AA06 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG03 , 5F053JJ01 , 5F053KK10 , 5F053LL01 , 5F053LL10 , 5F053RR20 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-030000 出願人：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
スピン塗布法に用いるSrCu2O2前駆体の合成方法、および低温下でのp型薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-210137 出願人：シャープ株式会社

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