特許
J-GLOBAL ID：201803013003749096

共鳴トンネルダイオード素子

発明者：
永瀬 成範

永瀬 成範 について

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清水 三聡

清水 三聡 について

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時崎 高志

時崎 高志 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-234229
公開番号（公開出願番号）：特開2018-067727
出願日： 2017年12月06日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：
【課題】超高速動作が可能で、生産性が高く、低損失で低消費電力な共鳴トンネルダイオード素子及びこれを用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】共鳴トンネルダイオード素子において、複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の井戸層に、分極または組成傾斜によるポテンシャル傾斜を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に設ける。または、井戸層とバリア層間に、井戸層及びバリア層のいずれともバンドギャップの異なる中間層を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に設ける。サブバンド遷移が可能な共鳴トンネルダイオード素子により、電子蓄積及び電子放出により双安定状態を記憶する不揮発性メモリを実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の井戸層に、分極または組成傾斜によるポテンシャル傾斜を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に有することを特徴とする共鳴トンネルダイオード素子。
IPC (9件)：
H01L 21/329 ,  H01L 29/88 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (6件)：
H01L29/88 F ,  H01L29/06 601W ,  H01L27/105 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/48 F
Fターム (31件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104FF02 ,  4M104FF03 ,  4M104GG02 ,  4M104GG16 ,  4M104HH15 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • バイポーラトランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-185794   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特許第6229153号
審査官引用 (2件)
  • バイポーラトランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-185794   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特許第6229153号
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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