特許
J-GLOBAL ID：201803013012674104
反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
押野 宏
, 大島 孝文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-029498
公開番号（公開出願番号）：特開2018-088006
出願日： 2018年02月22日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
要約：
【課題】EUV露光機の露光光源が高パワー化した場合においても、保護膜とこれに隣接する位相シフト膜パターンの材料との間で、熱拡散による相互拡散によってEUV光に対する反射率が変動してしまうことを抑止することができる反射型マスクブランク及びこれによって作製される反射型マスクの提供、並びに半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】基板12上に多層反射膜13と、保護膜14と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜16がこの順に形成された反射型マスクブランクであって、保護膜14はルテニウムを主成分として含む材料からなり、保護膜14の表面上又は保護膜14の一部として位相シフト膜16と接する側に、位相シフト膜16との相互拡散を抑止するルテニウムと酸素とを含む拡散防止層15を形成することにより、保護膜14と位相シフト膜パターンの材料との間での熱拡散を抑止する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に多層反射膜と、保護膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜がこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記保護膜は、ルテニウムを主成分として含む材料からなり、
前記保護膜表面上に、又は、前記保護膜の一部として前記位相シフト膜と接する側に、前記位相シフト膜との相互拡散を抑止するルテニウムを主成分とする酸化層である拡散防止層が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
IPC (3件)：
G03F 1/24
, G03F 1/32
, G03F 7/20
G03F1/24
, G03F1/32
, G03F7/20 521
, G03F7/20 503
2H195BA10
, 2H195BB03
, 2H195BB16
, 2H195BB25
, 2H195BC20
, 2H195BC24
, 2H195CA01
, 2H195CA07
, 2H195CA15
, 2H195CA16
, 2H195CA22
, 2H197AA06
, 2H197AA10
, 2H197BA11
, 2H197CA10
, 2H197DB06
, 2H197GA01
, 2H197GA05
, 2H197GA21
, 2H197GA24
, 2H197HA03
