特許
J-GLOBAL ID:201803013085416413

はんだ濡れ上がり検査装置およびはんだ濡れ上がり検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 家入 健
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-202922
公開番号(公開出願番号):特開2015-068717
特許番号:特許第6255851号
出願日: 2013年09月30日
公開日(公表日): 2015年04月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 3次元光学外観検査機と3次元X線検査機とを有し、基板表面に搭載された搭載部品に対するはんだ濡れ上がり状態を検査するはんだ濡れ上がり検査装置であって、前記3次元光学外観検査機により収集された前記搭載部品に関する検査結果を基にして、はんだとの接触部となる前記搭載部品の電極の位置および形状を少なくとも検出する電極検出部と、 前記電極検出部により検出した前記搭載部品の電極の位置および形状を基にして、はんだと接触する前記搭載部品の電極面において必要とするはんだの濡れ上がり高さに関する値を算出し、はんだ濡れ上がりの良否を判別するための閾値として設定する閾値設定部と、 前記3次元X線検査機により撮像されたはんだの3次元形状に関する情報を基にして、前記搭載部品の電極面に濡れ上がっているはんだの濡れ上がり高さを算出して、前記閾値設定部により設定された前記閾値と比較することにより、前記搭載部品の電極面へのはんだ濡れ上がりの良否を判定する濡れ上がり良否判定部と、 を有し、 前記濡れ上がり高さは、 前記搭載部品のリードの先端部の電極の下部では接触しているものの、上方に向かって次第に電極面から離れている前記電極下面からのはんだ濡れ上がり高さ、 前記電極の下部から該電極面に沿ってはんだのはんだフィレットが急峻に立ち上がって、前記電極面と接触しているはんだ濡れ上がり高さ、および、 前記電極が浮いて該電極底面の隙間にはんだがもぐりこむように形成されるとともに、傾斜した前記電極面に沿ってはんだのはんだフィレットが急峻に立ち上がって、前記電極面と接触しているはんだ濡れ上がり高さ、 のうち少なくとも1つであり、 前記閾値設定部は、はんだと接触する前記搭載部品の電極面において必要とするはんだの前記濡れ上がり高さに関する値を算出する際に、前記電極検出部により検出した前記搭載部品の電極の位置および形状を基にして、前記搭載部品の電極面の上辺エッジの前記基板表面からの高さを先端部高さとして算出し、部品ごとにあらかじめ設定された割合を当該搭載部品の電極の電極厚に乗算した値を、前記先端部高さから減算した値を、必要とするはんだの前記濡れ上がり高さに関する値として用いる、 ことを特徴とするはんだ濡れ上がり検査装置。
IPC (4件):
G01B 21/02 ( 200 6.01) ,  G01N 23/04 ( 201 8.01) ,  G01B 21/00 ( 200 6.01) ,  G01B 21/20 ( 200 6.01)
FI (4件):
G01B 21/02 A ,  G01N 23/04 ,  G01B 21/00 E ,  G01B 21/20 101
引用特許:
審査官引用 (4件)
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