特許
J-GLOBAL ID：201803013185675750

抵抗率測定方法

発明者：
久米 史高

久米 史高 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-197437
公開番号（公開出願番号）：特開2018-060916
出願日： 2016年10月05日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
【課題】 低不純物濃度あるいは高不純物濃度のシリコンエピタキシャル層の抵抗率をより確実に測定することができるC-V法による抵抗率測定方法を提供する。【解決手段】 不純物濃度1×1011atoms/cm3以上3.4×1017atoms/cm3以下のシリコンエピタキシャル層表面に接触した電極に逆バイアス電圧を印加して電圧毎の容量を測定し、前記逆バイアス電圧と前記容量の関係から不純物濃度と抵抗率を算出するC-V法の抵抗率測定方法において、2×1013atoms/cm3未満または3×1016atoms/cm3超の不純物濃度を測定する際の初期印加電圧を、2×1013atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下の不純物濃度を測定する際の初期印加電圧よりも絶対値が小さくなるように設定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不純物濃度1×1011atoms/cm3以上3.4×1017atoms/cm3以下のシリコンエピタキシャル層表面に接触した電極に逆バイアス電圧を印加して電圧毎の容量を測定し、前記逆バイアス電圧と前記容量の関係から不純物濃度と抵抗率を算出するC-V法の抵抗率測定方法において、 2×1013atoms/cm3未満または3×1016atoms/cm3超の不純物濃度を測定する際の初期印加電圧を、2×1013atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下の不純物濃度を測定する際の初期印加電圧よりも絶対値を小さくすることを特徴とする抵抗率測定方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (1件)：
H01L21/66 L
Fターム (4件)：
4M106AA10 ,  4M106BA14 ,  4M106CA10 ,  4M106CA12
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM