特許
J-GLOBAL ID：201803013227631082
表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-059464
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157955
特許番号：特許第6229000号
出願日： 2016年03月24日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上方のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上方の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上方の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上方のソース電極層と、
前記第2の絶縁層上方のドレイン電極層と、
前記第2の絶縁層上方の酸化物半導体層と、
前記ソース電極層上方、前記ドレイン電極層上方及び前記酸化物半導体層上方の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上方の第4の絶縁層と、
前記第4の絶縁層上方の画素電極と、を有し
前記ゲート電極層と前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層と前記ソース電極層とが互いに重なる第1の領域と、
前記ゲート電極層と前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層と前記ドレイン電極層とが互いに重なる第2の領域と、
前記ゲート電極層と前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層と前記酸化物半導体層とが互いに重なる第3の領域と、を有し、
前記第1の領域における前記ゲート電極層と前記ソース電極層との間の距離よりも、前記第3の領域における前記ゲート電極層と前記酸化物半導体層との距離は短く、
前記第2の領域における前記ゲート電極層と前記ドレイン電極層との間の距離よりも、前記第3の領域における前記ゲート電極層と前記酸化物半導体層との距離は短く、
前記酸化物半導体層は、Inと、Gaと、Znと、を有し、
前記第3の絶縁層は、第1の膜と、前記第1の膜上方の第2の膜と、を有し、
前記第1の膜は、酸素と、珪素と、を有し、
前記第2の膜は、窒素と、珪素と、を有し、
前記第4の絶縁層は、有機材料を有することを特徴とする表示装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/50 M
, H01L 21/28 301 B
, G09F 9/30 338
, G02F 1/136
, H05B 33/14 A
, H05B 33/14 Z
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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