有機薄膜トランジスタ及びこれを備えた平板表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154659
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093652
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】有機薄膜トランジスタ及びこれを備えた平板表示装置を提供する。【解決手段】基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極及び有機半導体層と、ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との間に一層以上のゲート絶縁層と、を備え、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、有機半導体層のチャンネル領域とゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上とした。【選択図】図2F

請求項（抜粋）：

基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極及び有機半導体層と、前記ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との間に一層以上のゲート絶縁層と、を備え、前記ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/302 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (6件)：

H01L29/78 618B , H01L21/302 201B , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L29/78 617S , H01L29/28

Fターム (39件)：

3K007AB05 , 3K007AB17 , 3K007BA06 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007GA04 , 5F004BA19 , 5F004BA20 , 5F004BB03 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB14 , 5F004DB23 , 5F004DB25 , 5F004EB08 , 5F110AA02 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110NN71 , 5F110QQ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-206132
特開平2-224275

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