特許

J-GLOBAL ID：201803014271117325

半導体装置

発明者： 原田 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141607
公開番号（公開出願番号）：特開2018-014359
出願日： 2016年07月19日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
要約：

【課題】サブスレッショルド係数を低く抑えながら高いドレイン電流を得ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】ソース半導体領域102及びドレイン半導体領域103と、ソース半導体領域102とドレイン半導体領域103との間のチャネル半導体領域101と、が含まれる。チャネル半導体領域101は、層状物質又は線状物質の第1の半導体を含み、ソース半導体領域102は、p型の第2の半導体を含み、第1の半導体の伝導帯の下端及び第2の半導体の価電子帯の上端が波数空間中で同一の点にあり、ソース半導体領域102からチャネル半導体領域101へのキャリアの移動がバンド間トンネル効果により生じる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース半導体領域及びドレイン半導体領域と、 前記ソース半導体領域と前記ドレイン半導体領域との間のチャネル半導体領域と、 を有し、 前記チャネル半導体領域は、層状物質又は線状物質の第1の半導体を含み、 前記ソース半導体領域は、p型の第2の半導体を含み、 前記第1の半導体の伝導帯の下端及び前記第2の半導体の価電子帯の上端が波数空間中で同一の点にあり、 前記ソース半導体領域から前記チャネル半導体領域へのキャリアの移動がバンド間トンネル効果により生じることを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L29/78 622 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 301J

Fターム (45件)：

5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG22 ,  5F110HK01 ,  5F110HK08 ,  5F140AA00 ,  5F140AA29 ,  5F140AC13 ,  5F140AC23 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BB02 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-067104   出願人：富士通株式会社
• トンネル・ナノチューブ電界効果トランジスタを製作する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-515262   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション, フォルシュンクスツェントルムユーリッヒゲーエムベーハー
• 径方向ナノワイヤエサキダイオードデバイスおよび方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2015-519381   出願人：クナノ・アーベー