電子デバイス及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-067104
公開番号（公開出願番号）：特開2015-191975
出願日： 2014年03月27日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：

【課題】極性制御が可能なグラフェンのチャネル層を用いて、信頼性の高い高性能のトランジスタを実現する。【解決手段】それぞれ相異なる修飾基で端部が終端された複数のグラフェン11,12が接合されてなるチャネル層14と、チャネル層14上にゲート絶縁膜15を解して形成されたゲート電極16と、チャネル層14上に形成されたソース電極17及びドレイン電極18とを備えてトランジスタが構成される。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

それぞれ相異なる修飾基で端部が終端された複数のグラフェンが接合されてなるチャネル層と、前記チャネル層の上方に形成された電極とを含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , C01B 31/02

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z , H01L29/78 622 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , C01B31/02 101Z

Fターム (39件)：

4G146AA01 , 4G146AA15 , 4G146AB07 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BB06 , 4G146BB11 , 4G146BB23 , 4G146BC03 , 4G146BC33B , 4G146CB12 , 4G146CB13 , 4G146CB19 , 4G146CB21 , 4G146CB32 , 5F110BB13 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110QQ14 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (7件)

グラフェントランジスタ及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-020277 出願人：富士通株式会社
グラフェンシート系材料の形成方法およびグラフェンシート系材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-177851 出願人：富士通株式会社
トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-054853 出願人：株式会社東芝

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