特許
J-GLOBAL ID：201803015028501687

二次イオン質量分析計及び二次イオン質量分析方法

発明者：
モラーズ,ルドルフ

モラーズ,ルドルフ について

, 
ニーフイス,エワルド

ニーフイス,エワルド について


出願人/特許権者：
イオン-トフ テクノロジーズ ゲーエムベーハー

イオン-トフ テクノロジーズ ゲーエムベーハー について


代理人 (1件)： 斉藤 達也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-512847
公開番号（公開出願番号）：特表2018-533169
出願日： 2016年09月08日
公開日（公表日）： 2018年11月08日
要約：
本発明は、二次イオン質量分析計、及び、試料の二次イオン質量分析方法に関する。多数の二次イオン質量分析計が先行技術において知られている。本発明は、前記二次イオン質量分析計の中でも、特に飛行時間型二次イオン質量分析計(ToF-SIMS)に関連している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
二次イオン質量分析計であって、パルス持続時間が短い、有利には≦10ナノ秒の第1のパルス状一次イオンビームを発生させる為の第1の一次イオン源と、 第2のパルス状一次イオンビーム(例えば、パルス持続時間が50ナノ秒〜最大で5秒、有利には最大で500ミリ秒、有利には最大で500マイクロ秒)を発生させる為の第2の一次イオン源と、 前記第1一次イオン源の前記一次イオンパルスにより試料から発生された二次イオンを質量分析する為の第1のTOF-SIMS分析ユニットと、 前記第2一次イオン源の前記一次イオンパルスにより試料から発生された二次イオンを質量分析する為の第2の分析ユニットとを備えた、二次イオン質量分析計。
IPC (7件)：
H01J 49/40 ,  H01J 49/10 ,  H01J 49/42 ,  H01J 49/14 ,  H01J 49/26 ,  H01J 37/252 ,  G01N 27/62
FI (7件)：
H01J49/40 ,  H01J49/10 ,  H01J49/42 ,  H01J49/14 ,  H01J49/26 ,  H01J37/252 B ,  G01N27/62 G
Fターム (18件)：
2G041CA01 ,  2G041DA20 ,  2G041GA03 ,  2G041GA06 ,  2G041GA09 ,  5C033QQ02 ,  5C033QQ09 ,  5C033QQ13 ,  5C038GG02 ,  5C038GG05 ,  5C038GG13 ,  5C038GH13 ,  5C038HH02 ,  5C038HH05 ,  5C038HH28 ,  5C038HH30 ,  5C038JJ06 ,  5C038JJ11
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開平4-065060
  • 分析装置及び分析方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-089059   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (2件)
  • 特開平4-065060
  • 分析装置及び分析方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-089059   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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