特許
J-GLOBAL ID：201803015388262454
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-132637
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258226
特許番号：特許第6312976号
出願日： 2012年06月12日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェーハの表裏両面を粗研磨する粗研磨工程と、
前記粗研磨された半導体ウェーハの面取り部を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程と、
前記鏡面面取りされた半導体ウェーハの一方の面を保持して他方の面を研磨する片面研磨装置を用いて、前記半導体ウェーハの表面または表裏両面を鏡面研磨する鏡面仕上研磨工程と、
を行う半導体ウェーハの製造方法において、
前記鏡面面取り研磨工程の後に、前記半導体ウェーハの全面に酸化膜を形成した後、前記鏡面仕上研磨工程を行う
ことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 21/304 621
, H01L 21/304 621 E
, H01L 21/304 622 Q
, H01L 21/316 U
