磁気メモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：永井浩之 , 中村行孝 , 佐藤泰和 , 朝倉悟 , 関根毅 , 鈴木順生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-153898
公開番号（公開出願番号）：特開2018-022796
出願日： 2016年08月04日
公開日（公表日）： 2018年02月08日
要約：

【課題】書き込み効率を改善したSOT書き込み方式の磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態による磁気メモリは、第1乃至第3端子と、第1乃至第3部分を有し、前記第1部分は前記第2部分と前記第3部分との間に位置し、前記第2部分は前記第1端子に電気的に接続され、前記第3部分は前記第2端子に電気的に接続された導電性の第1非磁性層と、前記第3端子に電気的に接続された第1磁性層と、前記第1磁性層と前記第1部分との間に配置された第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された第2非磁性層と、を有する第1磁気抵抗素子と、前記第1部分と前記第2磁性層との間に少なくとも配置され、Mg、Al、Si、Hf、および希土類元素のうちの少なくとも1つの元素と、酸素および窒素のうちの少なくとも1つの元素とを含む第1層と、を備えている。【選択図】図6A

請求項（抜粋）：

第1乃至第3端子と、第1乃至第3部分を有し、前記第1部分は前記第2部分と前記第3部分との間に位置し、前記第2部分は前記第1端子に電気的に接続され、前記第3部分は前記第2端子に電気的に接続された導電性の第1非磁性層と、前記第3端子に電気的に接続された第1磁性層と、前記第1磁性層と前記第1部分との間に配置された第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された第2非磁性層と、を有する第1磁気抵抗素子と、前記第1部分と前記第2磁性層との間に少なくとも配置され、Mg、Al、Si、Hf、および希土類元素のうちの少なくとも1つの元素と、酸素および窒素のうちの少なくとも1つの元素とを含む第1層と、を備えた磁気メモリ。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , G11C 11/15

FI (7件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 H , H01L43/08 Z , H01L43/10 , G11C11/15 140 , G11C11/15 110

Fターム (53件)：

4M119AA03 , 4M119AA07 , 4M119AA08 , 4M119AA10 , 4M119AA17 , 4M119AA20 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD17 , 4M119DD31 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD47 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119EE33 , 4M119GG01 , 4M119KK12 , 5F092AA04 , 5F092AA15 , 5F092AA20 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD07 , 5F092AD08 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB12 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC43 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE25 , 5F092BE27 , 5F092CA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

スイッチングに基づいたスピン軌道相互作用を使用する磁気トンネルリング接合と、磁気トンネルリング接合を利用するメモリを提供するための方法及びシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-174693 出願人：三星電子株式会社

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