特許

J-GLOBAL ID：201803015451140674

有機半導体デバイスの製造方法、および粉体

発明者： 酒井 正俊 ,  工藤 一浩 ,  貞光 雄一
出願人/特許権者： 国立大学法人千葉大学 ,  日本化薬株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016075215
公開番号（公開出願番号）：WO2017-038771
出願日： 2016年08月29日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：

無溶媒かつ高スループットで有機半導体薄膜を形成できる有機半導体デバイスの製造方法を提供するとともに、それに適した材料を提供する。有機半導体デバイスの製造方法は、有機半導体材料を含む帯電した粉体を静電場の印加により基材(23)上にパターニングする工程を含む。

請求項（抜粋）：

有機半導体材料をパターニングして有機半導体デバイスを製造する方法であって、 有機半導体材料を含む帯電した粉体を静電場の印加により基材上にパターニングする工程を含む有機半導体デバイスの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 51/40 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363

FI (7件)：

H01L29/28 310J ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618D ,  H01L21/363

Fターム (51件)：

5F103AA10 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27