特許
J-GLOBAL ID：201803015524916617

半導体装置

発明者：
古谷 一馬

古谷 一馬 について

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家田 義紀

家田 義紀 について

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八窪 裕人

八窪 裕人 について

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加藤 清

加藤 清 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-102968
公開番号（公開出願番号）：特開2018-164096
出願日： 2018年05月30日
公開日（公表日）： 2018年10月18日
要約：
【課題】酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)が少ない書き込み用トランジスタ、該書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。【解決手段】メモリセルへの情報の書き込み及び書き換えは、書き込み用トランジスタ162をオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子164の電極の一方と、読み出し用トランジスタ160のゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
トランジスタと、 前記トランジスタと電気的に接続される容量素子と、を有し、 前記トランジスタは、 酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、 絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、を有し、 前記容量素子は、前記酸化物半導体層と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と、を有し、 前記酸化物半導体層は、前記トランジスタの一部として機能する領域と前記容量素子の一部として機能する領域とを有し、 前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、前記トランジスタの一部として機能する領域と前記容量素子の一部として機能する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
H01L27/1156 ,  H01L27/108 321 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 E
Fターム (146件)：
5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB18 ,  5F048BC06 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048DA24 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5F083LA21 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR07 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA01 ,  5F101BA17 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH16 ,  5F101BH21 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110BB05 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HM03 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN77 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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