特許
J-GLOBAL ID：201803015772276969

半導体装置

発明者：
及川 欣聡

及川 欣聡 について

, 
岡崎 健一

岡崎 健一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-145640
公開番号（公開出願番号）：特開2018-185541
出願日： 2018年08月02日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：
【課題】開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供する。また、画素部の透過率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供する。また、消費電力の低い表示装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域に第1の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、第1の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第2の酸化物半導体膜と、トランジスタと電気的に接続される画素電極と、一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、一対の電極の一方が第2の酸化物半導体膜であり、一対の電極の他方が画素電極であり、第2の酸化物半導体膜の膜厚が、第1の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄い。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
トランジスタと、容量素子と、を有する表示装置であって、 前記トランジスタは、 ゲート電極と、 ゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有する第1の酸化物半導体膜と、を有し、 容量素子は 第2の酸化物半導体膜と、 第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜を介して、前記第2の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第1の電極と、を有し、 前記第2の酸化物半導体膜は、前記第1の酸化物半導体膜と同一表面上に設けられ、 前記第1の絶縁膜は、前記トランジスタ上に設けられた領域を有し、 前記第1の電極は、前記トランジスタと電気的に接続され、 前記第2の酸化物半導体膜の膜厚が、前記第1の酸化物半導体膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/14 ,  H01L 51/50 ,  H01L 27/32 ,  H05B 33/02 ,  H01L 29/786
FI (9件)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 348A ,  G09F9/30 348Z ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H01L29/78 618B
Fターム (90件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192DA24 ,  2H192DA44 ,  2H192DA52 ,  2H192EA22 ,  2H192EA43 ,  2H192HA84 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC36 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5C094AA07 ,  5C094AA22 ,  5C094BA03 ,  5C094BA25 ,  5C094BA27 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FB14 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM