特許
J-GLOBAL ID：201803016011757030

マイクロLEDモジュールのフリップチップボンディング方法及びそれを用いたフリップチップボンディングモジュール

発明者：
ユ, テク ヨン

ユ, テク ヨン について

, 
キム, デ ウォン

キム, デ ウォン について

, 
ユン, ソン ボク

ユン, ソン ボク について

, 
ウォン, イェ リム

ウォン, イェ リム について

, 
ムン, ミョン ジ

ムン, ミョン ジ について

, 
ジャン, ハン ビッ

ジャン, ハン ビッ について

, 
キム, ヨン ピル

キム, ヨン ピル について

, 
パク, ジェ スン

パク, ジェ スン について


出願人/特許権者：
ルーメンス カンパニー リミテッド

ルーメンス カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-126761
公開番号（公開出願番号）：特開2018-157231
出願日： 2018年07月03日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：
【課題】マイクロLEDモジュールのフリップチップボンディング方法及びそれを用いたフリップチップボンディングモジュールを提供する。【解決手段】本発明のフリップチップボンディング方法は、LED基板、及びLED基板上に形成された多数のLEDセルを含むマイクロLEDを準備する段階と、LED基板とは熱膨張係数が異なるサブマウント基板を準備する段階と、マイクロLEDとサブマウント基板との間に位置するソルダーを用いてマイクロLEDとサブマウント基板とをフリップチップボンディングする段階と、を有し、フリップチップボンディングする段階は、LED基板とサブマウント基板との熱膨張係数の差による変形量の差を抑制するように、サブマウント基板の温度とLED基板の温度とを互いに異なる加熱-冷却曲線で制御する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
LED基板、及び前記LED基板上に形成された多数のLEDセルを含むマイクロLEDを準備する段階と、 前記LED基板とは熱膨張係数が異なるサブマウント基板を準備する段階と、 前記マイクロLEDと前記サブマウント基板との間に位置するソルダーを用いて前記マイクロLEDと前記サブマウント基板とをフリップチップボンディングする段階と、を有し、 前記フリップチップボンディングする段階は、前記LED基板と前記サブマウント基板との熱膨張係数の差による変形量の差を抑制するように、前記サブマウント基板の温度と前記LED基板の温度とを互いに異なる加熱-冷却曲線で制御することを特徴とするフリップチップボンディング方法。
IPC (3件)：
H01L 33/48 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/14
FI (3件)：
H01L33/48 ,  H01L21/60 311Q ,  H01L23/14 S
Fターム (17件)：
5F044KK05 ,  5F044KK16 ,  5F044LL01 ,  5F044LL05 ,  5F044PP19 ,  5F044QQ06 ,  5F044RR01 ,  5F044RR12 ,  5F142AA41 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CA13 ,  5F142CB03 ,  5F142CB18 ,  5F142CD02 ,  5F142DB24 ,  5F142FA34
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM