半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：曾我道治 , 梶並順 , 大宅一宏 , 上田俊一 , 吉田潤一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-525648
特許番号：特許第6289756号
出願日： 2016年12月13日
要約：

【要約】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ上に、密着性向上膜2、Pt膜3、Sn膜4及びAu膜5を蒸着によって順次形成する工程と、半導体ウェハをダイシングして半導体素子1を得る工程と、基板6上にNi膜7及びAu膜5を蒸着によって順次形成する工程と、半導体素子1上に形成されたAu膜5と基板6上に形成されたAu膜5とを向い合せて積層した後、加熱して接合する工程とを含む。Pt膜3、Sn膜4及びAu膜5からなる金属積層膜において、Pt膜3が5質量%以上10質量%未満、Au膜5が51質量%以上75質量%未満、Sn膜4が残部である。

請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウェハ上に、密着性向上膜、Pt膜、Sn膜及びAu膜を蒸着によって順次形成する工程であって、前記Pt膜、前記Sn膜及び前記Au膜からなる金属積層膜において、前記金属積層膜の全質量を100質量%としたときに、前記Pt膜が5質量%以上10質量%未満、前記Au膜が51質量%以上75質量%未満、前記Sn膜が残部である工程と、前記半導体ウェハをダイシングして半導体素子を得る工程と、基板上にNi膜及びAu膜を蒸着によって順次形成する工程と、前記半導体素子上に形成された前記Au膜と前記基板上に形成された前記Au膜とを向い合せて積層した後、加熱して接合する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ( 200 6.01) , H01L 23/13 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/52 B , H01L 21/52 D , H01L 23/12 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭63-110751
ろう材及びデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-275395 出願人：セイコーエプソン株式会社
基板接合方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-162508 出願人：スタンレー電気株式会社

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審査官引用 (2件)

特開昭63-110751
ろう材及びデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-275395 出願人：セイコーエプソン株式会社

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