特許
J-GLOBAL ID：201803016437750962
半導体装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
北澤 一浩
, 小泉 伸
, 市川 朗子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-555936
特許番号：特許第6242688号
出願日： 2012年02月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (i)III族窒化物で形成されている半導体層を有する半導体ウエハを提供し、
(ii)前記半導体層上に二酸化ケイ素と窒化ケイ素の少なくとも一方で形成される第1のマスク層を形成し、
(iii)前記第1のマスク層上に金属で形成される第2のマスク層を形成し、
(iv)島を形成するために前記第2のマスク層をアニールし、
(v)マスクとして島を使用して、前記第1のマスク層と前記第2のマスク層を介してエッチングすることにより、全数のうち90%以上が1000ナノメータ未満の直径を有するピラーアレイを形成し、
(vi)前記島を取り除き、
(vii)ピラー間においてIII族窒化物で形成されている半導体材料を成長させ、
(viii)次いで前記ピラーの頂部上に前記半導体材料を成長させ、前記半導体材料が成長している間に、前記第1のマスク層から形成されたキャップがそれぞれの前記ピラーの頂部に残されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, B82B 1/00 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, B82B 1/00 ZNM
