特許
J-GLOBAL ID：200903016336510235
側壁を用いた選択横方向エピタキシャル成長(SLEO)法による無極性および半極性III族窒化物の欠陥低減方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-514784
公開番号（公開出願番号）：特表2008-542183
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
パターニングされたマスクを通してエッチングされたテンプレート材料の側壁からの選択横方向エピタキシャル成長法を用いることにより作製したIII族窒化物のa{11-20}面およびm{1-100}面のような無極性の面、または{10-1n}面のような半極性の面における貫通転位密度を低減する方法を提供する。該方法は、無極性または半極性のGaNテンプレートのようなテンプレート材料上にパターニングされたマスクを成膜する工程と、マスク内の開口を通して色々な深さにテンプレート材料をエッチングする工程と、溝の底から垂直に成長する材料が側壁の上部に到達する前に、側壁の上部から横方向に成長した材料を合体させることによって無極性または半極性のIII族窒化物を成長する工程を含む。合体した部分はマスクの開口を通して成長して、誘電体マスクの上を横方向に成長して、やがて完全に合体した連続的な膜が得られる。
請求項（抜粋）：
無極性および半極性のIII族窒化物材料における貫通転位密度を低減する方法であって、
パターニングされたマスクを通してエッチングされたテンプレート材料の側壁から、無極性または半極性III族窒化物材料の選択横方向エピタキシャル成長を行うことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 25/04
, H01L 33/00
C30B29/38 D
, C30B25/04
, H01L33/00 C
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077EC09
, 4G077EE02
, 4G077EE07
, 4G077EF03
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB05
, 4G077TC06
, 4G077TC08
, 4G077TC09
, 4G077TC14
, 4G077TC17
, 4G077TK08
, 4G077TK10
, 5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
