特許

J-GLOBAL ID：201803016528566854

低エッチング速度のハードマスク膜のための酸素ドーピングを伴うPVDALN膜

発明者： カオ ヨン ,  大東 和也 ,  ジャクカラジュ ラジュクマール ,  タン シャンミン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (8件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹 ,  鈴木 信彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-509033
特許番号：特許第6272830号
出願日： 2013年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 窒化アルミニウムおよび酸素を含むドーパントを含むハードマスクであって、前記ハードマスクの応力は、前記ハードマスクが配置された構造の応力を補償するように調整され、ドープされた窒化アルミニウムのハードマスクは、多結晶であるハードマスク。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 14/06 A ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/302 105 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-190330   出願人：株式会社日立国際電気
• 窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-330018   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社デンソー
• フィルム、包装材料、容器、レンズ、窓、眼鏡、記録媒体および成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-313128   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特許第6576482号
  
• 特許第6177351号
  
• 半導体素子の金属配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-021868   出願人：三星電子株式会社