特許

J-GLOBAL ID：200903017720339540

窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体デバイス

発明者： 秋山 守人 ,  蒲原 敏浩 ,  加納 一彦 ,  勅使河原 明彦
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-330018
公開番号（公開出願番号）：特開2009-149953
出願日： 2007年12月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。【解決手段】本発明に係る窒化物半導体の製造方法は、不活性ガス雰囲気下において、アルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、アルミニウム-ガリウム合金、アルミニウム-インジウム合金、アルミニウム-スカンジウム合金、ガリウム-インジウム合金、ガリウム-スカンジウム合金、インジウム-スカンジウム合金からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属と窒素とを反応させることによって、窒化半導体を製造する反応スパッタリング法において、窒素と共に酸素を供給し、不活性ガス、窒素および酸素の全モル数に対する酸素のモル%が、0.8%以上、3.2%以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

不活性ガス雰囲気下において、アルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、アルミニウム-ガリウム合金、アルミニウム-インジウム合金、アルミニウム-スカンジウム合金、ガリウム-インジウム合金、ガリウム-スカンジウム合金、インジウム-スカンジウム合金からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属と窒素とを反応させることによって、窒化半導体を製造する反応スパッタリング法において、 窒素と共に酸素を供給し、 不活性ガス、窒素および酸素の全モル数に対する酸素のモル%が、0.8%以上、3.2%以下であることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (7件)：

C23C 14/34 ,  H01L 33/00 ,  H03H 9/17 ,  H03H 3/02 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  C23C 14/06

FI (7件)：

C23C14/34 N ,  H01L33/00 C ,  H03H9/17 F ,  H03H3/02 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  C23C14/06 A

Fターム (17件)：

4K029BA58 ,  4K029BC00 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029EA05 ,  5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC13 ,  5J108KK07 ,  5J108MM08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化アルミニウム薄膜及びそれを用いた圧電薄膜共振子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-106549   出願人：宇部興産株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (3件)

• ウルツ鉱型薄膜およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137688   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 窒化アルミニウム膜の製造方法および磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-262066   出願人：ヤマハ株式会社
• 特開平4-099861
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Influence of oxygen and argon on the crystal quality and piezoelectricresponse of AlN sputtered thin