反応性置換基を有するシルセスキオキサンの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：平川明 , 石丸竜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-232998
公開番号（公開出願番号）：特開2018-090502
出願日： 2016年11月30日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

【課題】反応性置換基を有するシルセスキオキサン、特に片面に反応性置換基を有するヤヌスキューブを製造することができるシルセスキオキサンの製造方法の提供。【解決手段】式(B)で表される環状シロキサンを加水分解して分子内脱水縮合を進めることにより、反応性置換基としてSi-Hを有するシルセスキオキサン式(C)を効率良く製造する方法。(R1は夫々独立にC1〜20の炭化水素基;Xは夫々独立にCl、Br又はI)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

水の存在下、下記式(B)で表される環状シロキサンから下記式(C)で表されるシルセスキオキサンを生成する反応工程を含む、シルセスキオキサンの製造方法。

IPC (2件)：

C07F 7/02 , C07F 7/08

FI (2件)：

C07F7/02 E , C07F7/08 X

Fターム (26件)：

4H049VN01 , 4H049VP04 , 4H049VP08 , 4H049VQ02 , 4H049VQ12 , 4H049VQ79 , 4H049VQ87 , 4H049VQ88 , 4H049VR11 , 4H049VR21 , 4H049VR32 , 4H049VR41 , 4H049VR43 , 4H049VS02 , 4H049VS12 , 4H049VS16 , 4H049VS79 , 4H049VS87 , 4H049VT32 , 4H049VT47 , 4H049VU12 , 4H049VU22 , 4H049VV06 , 4H049VV07 , 4H049VW02 , 4H049VW08

引用特許：

審査官引用 (2件)

ケイ素系材料およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-221268 出願人：JSR株式会社
機能性超薄膜およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-190325 出願人：チッソ石油化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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