特許
J-GLOBAL ID:201803017064922390

伝導性構造体およびこれを含む電子素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 龍華国際特許業務法人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-544895
公開番号(公開出願番号):特表2018-510076
出願日: 2016年03月16日
公開日(公表日): 2018年04月12日
要約:
本明細書は、伝導性構造体およびこれを含む電子素子を提供する。
請求項(抜粋):
ハフニウム酸化物を含む第1のハフニウム酸化物層と、 前記第1のハフニウム酸化物層上に設けられる金属層と、 前記金属層上に設けられるハフニウム酸化物を含む第2のハフニウム酸化物層とを含み、 下記数式1を満たす、伝導性構造体。 [数式1]
IPC (4件):
B32B 7/02 ,  H01B 5/14 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04
FI (4件):
B32B7/02 104 ,  H01B5/14 A ,  B32B9/00 A ,  B32B15/04 Z
Fターム (24件):
4F100AA17A ,  4F100AA17C ,  4F100AB01B ,  4F100AB24B ,  4F100BA03 ,  4F100CA30A ,  4F100CA30C ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG04 ,  4F100JN01 ,  4F100JN18A ,  4F100JN18B ,  4F100JN18C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
引用特許:
審査官引用 (4件)
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