特許
J-GLOBAL ID:201803017064922390
伝導性構造体およびこれを含む電子素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
龍華国際特許業務法人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-544895
公開番号(公開出願番号):特表2018-510076
出願日: 2016年03月16日
公開日(公表日): 2018年04月12日
要約:
本明細書は、伝導性構造体およびこれを含む電子素子を提供する。
請求項(抜粋):
ハフニウム酸化物を含む第1のハフニウム酸化物層と、
前記第1のハフニウム酸化物層上に設けられる金属層と、
前記金属層上に設けられるハフニウム酸化物を含む第2のハフニウム酸化物層とを含み、
下記数式1を満たす、伝導性構造体。
[数式1]
IPC (4件):
B32B 7/02
, H01B 5/14
, B32B 9/00
, B32B 15/04
FI (4件):
B32B7/02 104
, H01B5/14 A
, B32B9/00 A
, B32B15/04 Z
Fターム (24件):
4F100AA17A
, 4F100AA17C
, 4F100AB01B
, 4F100AB24B
, 4F100BA03
, 4F100CA30A
, 4F100CA30C
, 4F100EH66
, 4F100GB41
, 4F100JG01
, 4F100JG04
, 4F100JN01
, 4F100JN18A
, 4F100JN18B
, 4F100JN18C
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FB02
, 5G307FC09
, 5G307FC10
引用特許: