特許
J-GLOBAL ID：201003099118843765
半導体発光デバイス
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-214461
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080960
出願日： 2009年09月16日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】上方接触層としても機能する非エピタキシャル・クラッド層を備えた、光学的損失の低い半導体発光デバイスを提供する。【解決手段】本発明の半導体発光デバイス(20A)は、基板(22)と、基板上に形成された結晶性半導体クラッド層(26)と、結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造(30A)と、閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域(28)と、閉じ込めヘテロ構造上に形成され電気抵抗率が1Ω-cmよりも低い非エピタキシャル・クラッド層(32)とを備え、結晶性半導体クラッド層と閉じ込めヘテロ構造と非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、これらのクラッド層の平面において光を導く導波路を形成する。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された結晶性半導体クラッド層と、
前記結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造と、
前記閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域と、
前記閉じ込めヘテロ構造上に形成され、電気抵抗率が1Ωcmよりも低い非エピタキシャル・クラッド層と、
を備え、、
前記結晶性半導体クラッド層と、前記閉じ込めヘテロ構造と、前記非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、前記結晶性半導体クラッド層及び前記非エピタキシャル・クラッド層の平面において光を導く導波路を形成する、
半導体発光デバイス。
IPC (3件)：
H01S 5/20
, H01S 5/22
, H01S 5/12
H01S5/20 610
, H01S5/22
, H01S5/12
5F173AA08
, 5F173AB03
, 5F173AB13
, 5F173AF36
, 5F173AG22
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP87
, 5F173AR26
