窒化物半導体テンプレートの製造方法、窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：福岡昌浩 , 橘高英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-236874
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093113
出願日： 2016年12月06日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

【課題】基板に凹凸パターンを形成した場合であっても、高品質な窒化物半導体テンプレートを容易に得ることができる技術を提供する。【解決手段】基板として表面に凹凸パターンが形成されたパターン基板を用意する準備工程と、パターン基板の凹凸パターン上に、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成するとともに、第一層の表面が平坦化しない厚さに第一層を形成する第一層形成工程と、第一層に対してアニール処理を行うアニール工程と、アニール工程を経た後の第一層に重ねるように、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層をエピタキシャル成長させて形成するとともに、第二層の表面が平坦化するような厚さに第二層を形成する第二層形成工程と、を経て窒化物半導体テンプレートを製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって、前記基板として、表面に凹凸パターンが形成されたパターン基板を用意する準備工程と、前記パターン基板の前記凹凸パターン上に、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成するとともに、前記第一層の表面が平坦化しない厚さに前記第一層を形成する第一層形成工程と、前記第一層に対してアニール処理を行うアニール工程と、前記アニール工程を経た後の前記第一層に重ねるように、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層をエピタキシャル成長させて形成するとともに、前記第二層の表面が平坦化するような厚さに前記第二層を形成し、前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程と、を備える窒化物半導体テンプレートの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , C30B 29/38 , C23C 16/34 , C23C 16/56 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01L21/20 , C30B29/38 C , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/205

Fターム (60件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB08 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077DB05 , 4G077ED04 , 4G077EF03 , 4G077HA12 , 4G077TB04 , 4G077TC13 , 4G077TC16 , 4G077TK04 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB13 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030EA04 , 4K030FA10 , 4K030GA03 , 4K030GA05 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045EK06 , 5F045HA16 , 5F152LL03 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN33 , 5F152LN35 , 5F152MM10 , 5F152MM18 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (1件)

発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2017-139245 出願人：豊田合成株式会社

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