ペロブスカイト材料を堆積させる方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-564574
公開番号（公開出願番号）：特表2018-518845
出願日： 2016年06月10日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：

ペロブスカイト材料の層を含む光活性領域を含む光起電力デバイスを製造する方法であって、ペロブスカイト材料の前記層が、粗さ平均(Ra)又は二乗平均平方根粗さ(Rrms)50nm以上を有する表面の上に堆積される、方法が提供される。当該方法は、前記ペロブスカイト材料の1以上の初期前駆体化合物を含む実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を堆積させるために蒸着を使用すること、及び続いて、前記粗い表面上に前記ペロブスカイト材料の実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を形成するため、前記固体層を1以上のさらなる前駆体化合物で処理すること、を含む。また、当該方法を用いて配置されたペロブスカイト材料の層を含む光活性領域を含む光起電力デバイスが提供される。〔選択図〕図8a

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト材料の層を含む光活性領域を含む光起電力デバイスを製造する方法であって、ペロブスカイト材料の前記層が、粗さ平均(Ra)又は二乗平均平方根粗さ(Rrms)50nm以上を有する表面の上に堆積され、当該方法は、前記粗い表面上に前記ペロブスカイト材料の1以上の初期前駆体化合物を含む実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を堆積させるために蒸着を使用すること、及び続いて、前記1以上の初期前駆体化合物を含む前記固体層を1以上のさらなる前駆体化合物で処理し、及びそれにより、前記粗い表面上に前記ペロブスカイト材料の実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな固体層を形成するため、前記1以上の初期前駆体化合物と前記1以上のさらなる前駆体化合物とを反応させること、を含む、方法。

IPC (1件)：

H01L 51/44

FI (1件)：

H01L31/04 112Z

Fターム (11件)：

5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151AA05 , 5F151AA09 , 5F151AA10 , 5F151DA16 , 5F151FA03 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151GA03 , 5F151GA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

光電子素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2015-531644 出願人：イシスイノベイションリミテッド

引用文献：

審査官引用 (4件)

"CH3NH3PbI3 perovskite/silicon tandem solar cells: characterization based optical simulations"
"Synthesis and Characterization of Organic-Inorganic Perovskite Thin Films Prepared Using a Versatil
"Cesium-doped methylammonium lead iodide perovskite light absorber for hybrid solar cells"

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