特許

J-GLOBAL ID：201803017514643712

モリブデン含有皮膜の堆積のためのビス(アルキルイミド)-ビス(アルキルアミド)モリブデン分子

発明者： ジュリアン ガティノ ,  コ チャンヒ ,  横田 二郎 ,  クレマン ランサロット-マトラス
出願人/特許権者： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
代理人 (2件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-096998
公開番号（公開出願番号）：特開2018-150627
出願日： 2018年05月21日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：

【課題】低い抵抗率を有するMoN皮膜の製造方法の提供。【解決手段】類似のジアルキルアミド基(すなわちNR2)によって堆積される皮膜と比較して、より迅速なALD成長速度、より高いALD温度域、及び得られた皮膜中のより低い不純物濃度がもたらされる、アミド基に水素が含まれる(すなわちNHR’)化合物のビス(アルキルイミド)-ビス(アルキルアミド)モリブデン、とプラズマ処理したNH3とを用い、チャンバ温度を330°C〜450°Cの間の温度に維持する原子層堆積法。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

モリブデン含有皮膜を基板上に形成する原子層堆積法であって、 式Mo(NtBu)2(NHtBu)2で表されるモリブデン含有前駆体を、基板を収容した蒸着チャンバ中に導入することと、 前記モリブデン含有前駆体を前記基板に接触させることと、 還元剤を前記蒸着チャンバ中に導入して前記モリブデン含有皮膜を形成することと、 を含む、原子層堆積法。

IPC (6件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (29件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA12 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB16 ,  4M104BB19 ,  4M104BB31 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD49 ,  4M104EE16 ,  4M104HH16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ハフニウム堆積の方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-507521   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 相変化メモリデバイスに電極を形成する気相法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-507412   出願人：オヴォニクス,インコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Deposition of molybdenum carbonitride thin films from Mo(NBut)2(NHBut)2