特許

J-GLOBAL ID：200903015995469734

窒化ハフニウム堆積の方法

発明者： メッツナー, クレイグ ,  ヘール, シュリヤス ,  キム, ヨン, クワン ,  ロックライン, エム., ノエル ,  ジョージ, スティーヴン, エム.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-507521
公開番号（公開出願番号）：特表2006-522225
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

本発明は、一般的には、高k誘電体層を形成する方法であって、原子層堆積によってハフニウム化合物を基板に堆積するステップであって、ハフニウム前駆物質を基板の表面に分配するステップと、ハフニウム前駆物質を反応させるステップと、ハフニウム含有層を表面に形成するステップとを含む、前記ステップと、窒素前駆物質をハフニウム含有層に分配するステップと、少なくとも1つのハフニウム窒素結合を形成するステップと、ハフニウム化合物を表面に堆積するステップとを含む、前記方法である。

請求項（抜粋）：

基板表面上にハフニウムを含む層を形成する方法であって、 a)該基板表面をハフニウム前駆物質に晒して該基板表面上にハフニウム含有層を形成するステップと、 b)チャンバをパージガスでパージするステップと、 c)第二前駆物質と該ハフニウム含有層とを反応させるステップと、 d)該チャンバを該パージガスでパージするステップと、 e)第三前駆物質と該ハフニウム含有層とを反応させるステップと、 f)該チャンバを該パージガスでパージするステップと、 g)第四前駆物質と該ハフニウム含有層とを反応させるステップと、 h)該チャンバを該パージガスでパージするステップと、 を連続して含む、前記方法。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/318 C ,  H01L21/90 P

Fターム (28件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030JA01 ,  4K030JA11 ,  5F033RR01 ,  5F033SS11 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F058BC20 ,  5F058BD18 ,  5F058BF06 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多成分系薄膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-131493   出願人：三星電子株式会社
• 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-150289   出願人：日本電気株式会社
• 半導体素子の誘電体膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-002631   出願人：三星電子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Suppressed crystallization of Hf-based gate dielectrics by controlled addition of Al2O3 using atomic