特許
J-GLOBAL ID：201803017620788738
メタルハードマスクの除去のための方法および組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小林 浩
, 大森 規雄
, 鈴木 康仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-054130
公開番号（公開出願番号）：特開2014-122319
特許番号：特許第6228373号
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2014年07月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板から皮膜を除去する方法であって、該方法は、前記皮膜に組成物を適用することを含み、
前記組成物は、少なくとも以下:
a)水;および
b)以下の化合物(i〜v)から選択される少なくとも1つの化合物:
i)NR4HF2 (式1)
(式中、R=H、アルキル、置換アルキル)、
ii)NR4F (式2)
(式中、R=H、アルキル、置換アルキル)、
iii)HF(フッ化水素酸)、
iv)H2SiF6(ヘキサフルオロケイ酸)、または
v)これらの組み合わせ
を含み、
前記皮膜が、少なくとも1つの有機金属化合物を含む「組成物A」から形成され、
前記少なくとも1つの有機金属化合物が、以下の化合物またはそれらの組み合わせ
から選択される、前記方法:
式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、それぞれ独立に、以下から選択され:
i)炭化水素基、
ii)置換炭化水素基、
iii)その主鎖に少なくとも1個のヘテロ原子を含有する炭化水素基、または
iv)その主鎖に少なくとも1個のヘテロ原子を含有する置換炭化水素基;
式中、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19およびR20は、それぞれ独立に、以下から選択される:
i)水素原子、
ii)炭化水素基、
iii)置換炭化水素基、
iv)その主鎖に少なくとも1個のヘテロ原子を含有する炭化水素基、または
v)その主鎖に少なくとも1個のヘテロ原子を含有する置換炭化水素基。
IPC (7件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, C11D 7/60 ( 200 6.01)
, C11D 7/32 ( 200 6.01)
, C11D 7/08 ( 200 6.01)
, C11D 7/22 ( 200 6.01)
, C11D 7/50 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
H01L 21/304 647 Z
, C11D 7/60
, C11D 7/32
, C11D 7/08
, C11D 7/22
, C11D 7/50
, H01L 21/306 A
