特許
J-GLOBAL ID：201803017673186128

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-024083
公開番号（公開出願番号）：特開2018-107464
出願日： 2018年02月14日
公開日（公表日）： 2018年07月05日
要約：
【課題】高速動作及び低消費電力化した半導体記憶装置を提供する。さらに、単位面積あたりの記憶容量を増加させ、キャパシタの容量を増加させた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、ワード線WL、ビット線BL、第1のキャパシタ、第2のキャパシタ及びトランジスタを有するサブメモリセルを、二以上有するメモリセルを有する。メモリセルにおいて、サブメモリセルが積層して形成される。該トランジスタは、半導体膜を介して第1のゲート及び第2のゲートが設けられ、第1のゲート及び第2のゲートはワード線と接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方はビット線と接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は第1のキャパシタ及び第2のキャパシタと接続され、サブメモリセルそれぞれにおけるトランジスタの第1のゲート及び第2のゲートが重畳し、かつ、接続する半導体記憶装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電膜と、 第2の導電膜と、 前記第1の導電膜上及び前記第2の導電膜上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、 前記第1の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上の第3の導電膜と、 前記第2の絶縁膜上の第4の導電膜と、を有し、 前記第1の酸化物半導体膜は、第1の領域と、第2の領域と、を有し、 前記第1の導電膜は、前記第1の絶縁膜を介して前記第1の領域と重なり、 前記第3の導電膜は、前記第2の絶縁膜を介して前記第1の領域と重なり、 前記第2の導電膜は、前記第1の絶縁膜を介して前記第2の領域と重なり、 前記第4の導電膜は、前記第2の絶縁膜を介して前記第2の領域と重なり、 前記第1の領域は、チャネル形成領域としての機能を有し、 前記第2の領域は、前記第1の領域よりも抵抗が低く、 前記第3の導電膜は、前記第1の導電膜と電気的に接続される半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (6件)：
H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L27/088 E ,  H01L27/088 H ,  H01L27/108 321
Fターム (135件)：
5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048DA24 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA12 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA09 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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