特許
J-GLOBAL ID：200903080234287639

トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法

発明者：
朴 宰 徹

朴 宰 徹 について

, 
權 奇 元

權 奇 元 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-119199
公開番号（公開出願番号）：特開2009-278115
出願日： 2009年05月15日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】薄膜トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体素子は、自己整列トップゲート構造を有する酸化物薄膜トランジスタを含みうる。酸化物薄膜トランジスタは、第1ソース領域、第1ドレイン領域、及びそれらの間の第1チャンネル領域を有する第1酸化物半導体層、及び第1チャンネル領域上に順次積層された第1ゲート絶縁層及び第1ゲート電極を含みうる。第1酸化物半導体層下にボトムゲート電極が更に備えられ、第1酸化物半導体層は多層構造を有することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャンネル領域を有する酸化物半導体層と、 前記チャンネル領域上に順次積層されたゲート絶縁層及びゲート電極を含む積層構造物と、を備えることを特徴とするトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102B
Fターム (30件)：
5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD17 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK31 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (6件)
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