半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-121786
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228571
出願日： 2016年06月20日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：

【課題】電流コラプスの抑制が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、第1の窒化物半導体層14と、第1の窒化物半導体層14の上に位置し、第1の窒化物半導体層14よりもバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層16と、第2の窒化物半導体層16の上の第1の電極18と、第2の電極20と、ゲート電極28と、第2の窒化物半導体層16の上の少なくともゲート電極28と第2の電極20との間に位置し、Hf、Zr、及び、Tiから成る群の少なくとも一つの第1の元素の酸化物であって、F、H、D、V、Nb、及び、Taから成る群の少なくとも一つの第2の元素を5×1019cm-3以上含有し、N、P、As、Sb、Bi、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、及び、ランタノイドから成る群の少なくとも一つの第3の元素を5×1019cm-3以上含有する第1の絶縁層24と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に位置し、前記第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の上の第1の電極と、前記第2の窒化物半導体層の上の第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に位置するゲート電極と、前記第2の窒化物半導体層の上の少なくとも前記ゲート電極と前記第2の電極との間に位置し、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、及び、Ti(チタン)から成る群の少なくとも一つの第1の元素の酸化物であって、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、及び、Ta(タンタル)から成る群の少なくとも一つの第2の元素を5×1019cm-3以上含有し、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、及び、ランタノイド(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)から成る群の少なくとも一つの第3の元素を5×1019cm-3以上含有する第1の絶縁層と、を備える半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 C , H01L29/78 301B , H01L21/316 X , H01L21/316 P

Fターム (49件)：

5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GT01 , 5F102GT06 , 5F102GV05 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BB05 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BD10 , 5F140BD11 , 5F140BD17 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BF43 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140CC02

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-234961 出願人：富士通株式会社
III-V族化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-022950 出願人：シャープ株式会社
半導体装置、試験装置、および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-033757 出願人：株式会社アドバンテスト

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