特許
J-GLOBAL ID：201803018190160280

半導体装置およびその製造方法

発明者：
内藤 通彦

内藤 通彦 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-205002
公開番号（公開出願番号）：特開2018-067621
出願日： 2016年10月19日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：
【課題】同一の半導体基板内に閾値電圧が異なる素子領域を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本半導体装置は、第1素子領域10Aと第2素子領域10Bとが同一の半導体基板に形成されている。第1素子領域に形成された第1ゲート電極44Aと、第2素子領域に形成された第2ゲート電極44Bと、半導体基板の上面に配置されると共に、ゲート配線を介して、第1ゲート電極及び第2ゲート電極と接続されたゲートパッドと、を有する。ゲート配線の第2ゲート電極とゲートパッドを接続する部分には、高抵抗部が設けられている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1素子領域と第2素子領域とが同一の半導体基板に形成された半導体装置であって、
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (9件)：
H01L29/78 657F ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 657A ,  H01L29/91 L ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 657G ,  H01L29/91 C ,  H01L27/08 102E
Fターム (11件)：
5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BB15 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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