特許
J-GLOBAL ID：201803018537661390
密閉型絶縁装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-126351
公開番号（公開出願番号）：特開2018-007292
出願日： 2016年06月27日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】密閉容器内表面に存在する異物の周辺での電界放射や部分放電の発生を抑え、健全性確認試験時の高い電界に対しては異物が動きやすくなるようにする。【解決手段】密閉型絶縁装置は、密閉容器11と、密閉容器11内に配置される高電圧導体と、密閉容器11の内面を覆うように設けられた被膜15と、を有する。被膜15は、合成樹脂部分20と、合成樹脂部分20の比重以上の比重を持つ複数の非線形抵抗粒体21と、を備える。複数の非線形抵抗粒体21の少なくとも一部が中空構造であり、中空構造の非線形抵抗粒体21を含む複数の非線形抵抗粒体21の一部が互いに接触してつながるように配置されて、被膜15の表面と密閉容器11の内面とを電気的に接続する非線形抵抗粒体鎖22が形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
内部に絶縁ガスが封入され接地された金属製の密閉容器と、
前記密閉容器内に配置されて高電圧が印加される高電圧導体と、
前記密閉容器と前記高電圧導体との間に介在して前記高電圧導体を支持する電気絶縁性の支持部材と、
前記密閉容器の内面を覆うように設けられた被膜と、
を有する密閉型絶縁装置であって、
前記被膜は、
電気絶縁性の合成樹脂部分と、
前記合成樹脂部分に混入されて、前記合成樹脂部分の比重以上の比重を持ち、印加電界が所定の値よりも低い時に第1の電気抵抗率を有し、印加電界が前記所定の値よりも高い時に前記第1の電気抵抗率よりも低い第2の電気抵抗率を有する複数の非線形抵抗粒体と、
を備え、
前記複数の非線形抵抗粒体の少なくとも一部が中空構造であり、
前記中空構造の非線形抵抗粒体を含む前記複数の非線形抵抗粒体の少なくとも一部が互いに接触してつながるように配置されて、前記絶縁ガスに接する前記被膜の表面と前記密閉容器の内面とを電気的に接続する少なくとも一つの非線形抵抗粒体鎖が形成されていること、
を特徴とする密閉型絶縁装置。
IPC (4件)：
H02G 5/06
, H02G 5/08
, H02B 13/035
, H02B 13/055
H02G5/06 361Z
, H02G5/06 396
, H02G5/08 361Z
, H02G5/08 396
, H02B13/035 311C
, H02B13/055 C
5G017BB20
, 5G017DD04
, 5G017GG01
, 5G017HH01
, 5G365DD04
