特許
J-GLOBAL ID:201803018600716516
薄いシリコン太陽電池の金属箔援用製造
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
龍華国際特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-549363
特許番号:特許第6283037号
出願日: 2013年06月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 太陽電池を製造する方法であって、
シリコン薄膜の裏側がP型ドープ領域及びN型ドープ領域を含む、前記シリコン薄膜をシリコン基板から劈開する工程と、
前記シリコン薄膜の前記裏側に金属箔を取り付ける工程と、
前記金属箔と前記P型ドープ領域との間に接点の第1のセットを形成する工程と、
前記金属箔と前記N型ドープ領域との間に接点の第2のセットを形成する工程と
を備える、方法。
IPC (3件):
H01L 31/0224 ( 200 6.01)
, H01L 31/18 ( 200 6.01)
, H01L 31/068 ( 201 2.01)
FI (3件):
H01L 31/04 260
, H01L 31/04 460
, H01L 31/06 300
引用特許:
出願人引用 (7件)
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薄膜結晶太陽電池の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-015634
出願人:キヤノン株式会社
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太陽電池モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-145548
出願人:三洋電機株式会社
-
太陽電池の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-128228
出願人:シャープ株式会社
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審査官引用 (7件)
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薄膜結晶太陽電池の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-015634
出願人:キヤノン株式会社
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太陽電池モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-145548
出願人:三洋電機株式会社
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太陽電池の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-128228
出願人:シャープ株式会社
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