特許

J-GLOBAL ID：201803018617407533

室温での原子層堆積によって生成されたSiO2薄膜

発明者： アルル,ディディエ ,  アドイェラウト,ノウレッディネ ,  レノーブル,ダミアン
出願人/特許権者： ルクセンブルク インスティトゥート オブ サイエンス アンド テクノロジー(リスト)
代理人 (2件)： ▲吉▼川 俊雄 ,  市川 寛奈
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-506156
公開番号（公開出願番号）：特表2018-525524
出願日： 2016年08月08日
公開日（公表日）： 2018年09月06日
要約：

本発明は、四塩化ケイ素、水および1つのルイス塩基剤であり、優先的にはアンモニアである少なくとも3つの前駆体を含み、室温で実施される、基板上にシリコン酸化物を堆積するための原子層堆積方法に関する。前記方法は、曝露時間中に(a)前記1つのルイス塩基剤、(b)前記四塩化ケイ素、および(c)前記水を前記基板上に曝露するステップを含む。前記方法は、前記ステップ(a)、(b)および(c)の各々の後のパージ時間中に、窒素ガスでパージする少なくとも1つのステップが行われる点に注目すべきである。本発明はさらに、低レベルの塩素汚染物質を含み、細孔による多孔度が高く、前記細孔が優先的に微小孔、メソ細孔またはナノ細孔であるという点で注目すべきシリコン酸化物の膜に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも3つの前駆体を含み、室温で実施される、シリコン酸化物を基板上、特に無機材料上にコーティングするための原子層堆積方法であって、前記少なくとも3つの前駆体は、四塩化ケイ素、水および1つのルイス塩基剤であり、前記1つのルイス塩基剤は優先的にアンモニアであり、前記方法は、 a.ある曝露時間の間、前記1つのルイス塩基剤を前記基板上に曝露するステップと、 b.ある曝露時間の間、前記四塩化ケイ素を前記基板上に曝露するステップと、 c.ある曝露時間の間、前記水を前記基板上に曝露するステップとを含み、 前記ステップ(a)、(b)および(c)の各々の後のパージ時間中に、窒素ガスでパージする少なくとも1つのステップを実行することを特徴とする、方法。

IPC (1件)：

C23C 16/42

FI (1件)：

C23C16/42

Fターム (13件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA44 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030EA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低温ALDSiO2
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-292395   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開昭56-027937
  
• 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-166405   出願人：株式会社日立国際電気