特許
J-GLOBAL ID：201303055641984148

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

発明者：
太田 陽介

太田 陽介 について

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赤江 尚徳

赤江 尚徳 について

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▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について

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笹島 亮太

笹島 亮太 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-166405
公開番号（公開出願番号）：特開2013-077805
出願日： 2012年07月26日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：
【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、 前記処理容器内の前記基板に対して、前記原料ガスを供給する工程と、前記窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、 を交互に所定回数行うことにより、前記基板上に前記酸化膜と前記窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、 前記酸化膜を形成する工程および前記窒化膜を形成する工程を、前記基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/42
FI (8件)：
H01L21/316 M ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  H01L21/318 M ,  H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/42
Fターム (47件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045DC52 ,  5F045DP19 ,  5F045EE13 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BF39 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (9件)
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