電極系デバイス用のALD処理のためのマスキング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：北原宏修 , 多田裕司 , 山内聡 , 伊藤世子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-138241
公開番号（公開出願番号）：特開2017-028270
特許番号：特許第6259023号
出願日： 2016年07月13日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】活性デバイス領域および原子層堆積で形成されたバリア層を有する電気デバイスの電気接続部材を露出する方法であって、前記電気接続部材上にはんだを堆積させることと、原子層堆積を用いて前記バリア層を形成することと、前記はんだを融解させ、前記はんだを覆う前記バリア層の各部分を除去することとを備え、前記バリア層の形成において、前記バリア層は、前記活性デバイス領域を覆うとともに、前記はんだを覆い、前記はんだは、前記電気接続部材のそれぞれを覆う、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 23/522 ( 200 6.01) , H01L 23/532 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01G 9/00 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/88 T , H01L 21/90 K , H01L 21/88 G , H01L 21/316 X , H01G 9/24 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-036714 出願人：富士フイルム株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-268621 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ボンドパッドの形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-524655 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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