特許
J-GLOBAL ID：201803018802644711
磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-235451
特許番号：特許第6275806号
出願日： 2016年12月02日
要約：
【課題】消費電力を低減できる磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶装置は、金属含有層、第1〜第4磁性層、第1、第2中間層及び制御部を含む。金属含有層は、第1〜第5部分を含む。第1、第2部分の間に第3部分があり、第3、第2部分の間に第4部分があり、第3、第4部分の間に第5部分がある。第1磁性層は、第1方向において第3部分から離れる。第2磁性層は、第3部分と第1磁性層との間にある。第1中間層は、第1、第2磁性層の間にある。第3磁性層は、第1方向において第4部分から離れる。第4磁性層は、第4部分と第3磁性層との間にある。第2中間層は、第3、第4磁性層との間にある。制御部は、第1、第2部分及と接続される。第5部分の第3方向に沿う長さは、第3部分の第3方向に沿う長さよりも長く、第4部分の第3方向に沿う長さよりも長い。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1部分と、第2部分と、前記第1部分と前記第2部分との間の第3部分と、前記第3部分と前記第2部分との間の第4部分と、前記第3部分と前記第4部分との間の第5部分と、を含む金属含有層と、
前記第1部分から前記第2部分に向かう第2方向と交差する第1方向において前記第3部分から離れた第1磁性層と、
前記第3部分と前記第1磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられ非磁性の第1中間層と、
前記第1方向において前記第4部分から離れた第3磁性層と、
前記第4部分と前記第3磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に設けられ非磁性の第2中間層と、
前記第1部分及び第2部分と電気的に接続された制御部と、
を備え、
前記第5部分の少なくとも一部の、前記第1方向及び前記第2方向と交差する第3方向に沿う第5部分長は、前記第3部分の前記第3方向に沿う第3部分長よりも長く、前記第4部分の前記第3方向に沿う第4部分長よりも長く、
前記第3部分は、前記第1方向において前記第2磁性層と重なる第3部分重畳領域を含み、
前記第5部分の前記第1方向に沿う第5部分厚は、前記第3部分重畳領域の前記第1方向に沿う厚さよりも薄く、
前記制御部は、
前記第1部分から前記第2部分に向かう第1電流を前記金属含有層に供給する第1動作と、
前記第2部分から前記第1部分に向かう第2電流を前記金属含有層に供給する第2動作と、
を実施する、磁気記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
H01L 27/105 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
