特許
J-GLOBAL ID：201803018941182188

垂直PNシリコン変調器

発明者：
ホンゼン・ウェイ

ホンゼン・ウェイ について

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リ・ヤン

リ・ヤン について

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チェンファン・シュ

チェンファン・シュ について

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シャオ・アンディー・シェン

シャオ・アンディー・シェン について


出願人/特許権者：
ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド

ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド について


代理人 (2件)： 実広 信哉 ,  木内 敬二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-552888
公開番号（公開出願番号）：特表2018-511085
出願日： 2016年03月17日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
要約：
導波路コアを含むシリコン導波路は、第2の正にドープされた(P2)領域に垂直に隣接する第1の正にドープされた(P1)領域を含む導波路コアを含む。P2領域はP1領域よりも強く正にドープされる。第1の負にドープされた(N1)領域は、第2の負にドープされた(N2)領域に垂直に隣接する。N2領域はN1領域よりも強く負にドープされる。N2領域及びP2領域は正-負(PN)接合を形成するように、垂直に隣接して配置される。N1領域、N2領域、P1領域及びP2領域は、垂直PN接合として配置され、電圧降下がN1領域、N2領域、P1領域及びP2領域に印加されるときに、陽イオンのP2領域を完全に欠乏させ、陰イオンのN2領域を完全に欠乏させるように構成される。
請求項（抜粋）：
導波路コアを含むシリコン導波路を含む光学変調器であって、 前記導波路コアが、 第2の正にドープされた(P2)領域に垂直に隣接する第1の正にドープされた(P1)領域であって、前記P2領域が前記P1領域よりも強く正にドープされた、P1領域及びP2領域と、 第2の負にドープされた(N2)領域に垂直に隣接する第1の負にドープされた(N1)領域であって、前記N2領域が前記N1よりも強く負にドープされ、前記N2領域及び前記P2領域が垂直に隣接するように配置されて正負(PN)接合を形成する、N1領域及びN2領域と、 少なくとも1つのカソードと、 前記PN接合を介して前記導波路コアにわたって前記カソードと選択的かつ電気的に結合された少なくとも1つのアノードであって、前記カソードと前記アノードとの間に印加された電圧降下が、前記導波路コアの屈折率を変化させることによって前記PN接合を通過する光学キャリアを変調する、少なくとも1つのアノードと、 を含み、 前記P2領域及び前記N2領域が、前記P1領域及び前記N1領域よりも大きな、屈折率変化に対する効果を有し、前記P1領域及び前記N1領域が、前記P2領域及び前記N2領域よりも小さな、前記光学キャリアの光学損失に対する影響を有するように、前記P2領域が前記P1領域よりも小さく、前記N2領域が前記N2領域よりも小さい、光学変調器。
IPC (1件)：
G02F 1/025
FI (1件)：
G02F1/025
Fターム (10件)：
2K102AA18 ,  2K102BA02 ,  2K102BB04 ,  2K102BC04 ,  2K102BC05 ,  2K102BD01 ,  2K102DA04 ,  2K102DD03 ,  2K102EA02 ,  2K102EA07
引用特許：
出願人引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (2件)
  • High speed Si modulators with high modulation efficiency and low free carrier absorption by depletin
  • Simulation of carrier-depletion strained SiGe optical modulators with vertical p-n junction
審査官引用 (2件)
  • High speed Si modulators with high modulation efficiency and low free carrier absorption by depletin
  • Simulation of carrier-depletion strained SiGe optical modulators with vertical p-n junction

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