特許
J-GLOBAL ID:201803019291977772
電力装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-211637
公開番号(公開出願番号):特開2018-074739
出願日: 2016年10月28日
公開日(公表日): 2018年05月10日
要約:
【課題】昇降圧コンバータの第1,第2スイッチング素子の温度上昇を抑制する。【解決手段】コンデンサの電荷を放電するときには、第1スイッチング素子の絶縁ゲートバイポーラトランジスタと第2スイッチング素子の絶縁ゲートバイポーラトランジスタとを逆相でオンオフする両素子制御を実行し、更に、両素子制御を実行しているときに第1スイッチング素子および第2スイッチング素子の少なくとも一方の温度が所定温度を超えたときには、第1,第2スイッチング素子の絶縁ゲートバイポーラトランジスタのうちの一方の絶縁ゲートバイポーラトランジスタをオフとして他方の絶縁ゲートバイポーラトランジスタをオンオフする方素子制御を実行する。これにより、第1,第2スイッチング素子の損失を低減することができ、よって、第1,第2スイッチング素子の温度上昇を抑制することができる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
モータを駆動するインバータと、
蓄電装置と、
前記インバータが接続された第1電力ラインにおける正極側のラインに接続され絶縁ゲートバイポーラトランジスタとフリホイールダイオードとが同一の半導体基板に形成された第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と前記第1電力ラインにおける負極側のラインとに接続された絶縁ゲートバイポーラトランジスタとフリホイールダイオードとが同一の基板に形成された第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子との接続点と前記蓄電装置が接続された第2電力ラインにおける正極側のラインとに接続されたリアクトルと、を有する昇降圧コンバータと、
前記第1電力ラインに取り付けられたコンデンサと、
前記インバータと前記第1,第2スイッチング素子を制御する制御装置と、
を備える電力装置であって、
前記制御装置は、前記コンデンサの電荷を放電するときには、前記第1スイッチング素子の絶縁ゲートバイポーラトランジスタと前記第2スイッチング素子の絶縁ゲートバイポーラトランジスタとを逆相でオンオフする両素子制御を実行し、
更に、前記制御装置は、前記両素子制御を実行しているときに前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子の少なくとも一方の温度が所定温度を超えたときには、前記第1,第2スイッチング素子の絶縁ゲートバイポーラトランジスタのうちの一方の絶縁ゲートバイポーラトランジスタをオフとして他方の絶縁ゲートバイポーラトランジスタをオンオフする方素子制御を実行する、
電力装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (43件):
5H730AA20
, 5H730AS01
, 5H730AS04
, 5H730AS05
, 5H730AS08
, 5H730AS13
, 5H730BB13
, 5H730BB14
, 5H730DD03
, 5H730EE57
, 5H730EE59
, 5H730FD01
, 5H730FD11
, 5H730FD41
, 5H730FD61
, 5H730FG01
, 5H730FG12
, 5H730XX04
, 5H730XX19
, 5H730XX24
, 5H730XX38
, 5H730XX41
, 5H730XX50
, 5H770AA29
, 5H770BA02
, 5H770CA01
, 5H770CA06
, 5H770DA03
, 5H770DA10
, 5H770DA22
, 5H770DA30
, 5H770FA13
, 5H770GA20
, 5H770HA01Z
, 5H770HA02W
, 5H770HA03W
, 5H770HA11W
, 5H770HA14W
, 5H770JA11W
, 5H770JA17W
, 5H770LA04W
, 5H770LB07
, 5H770LB10
引用特許:
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