特許
J-GLOBAL ID:201803019353235336
半導体構造、集積回路構造、及びそれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
龍華国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-077178
公開番号(公開出願番号):特開2018-129533
出願日: 2018年04月12日
公開日(公表日): 2018年08月16日
要約:
【課題】自己整合ゲートエッジ及びローカルインターコネクト構造、並びに、自己整合ゲートエッジ及びローカルインターコネクト構造を製造する方法を提供する。【解決手段】半導体構造又はデバイス800は、基板802の上方に配置され、かつ、第1の方向に長さを有する半導体フィン804、サブフィン805を含む。ゲート構造808は、半導体フィンの上に配置され、第1の方向と直交する第2の方向に、第2の端部と向かい合う第1の端部を有する。自己整合ゲートエッジ分離構造の対820は、半導体フィンを中央とする。ゲートエッジ分離構造の対のうち第1のゲートエッジ分離構造は、ゲート構造の第1の端部に直接隣接して配置され、ゲートエッジ分離構造の対のうち第2のゲートエッジ分離構造は、ゲート構造の第2の端部に直接隣接して配置される。【選択図】図8A
請求項(抜粋):
基板の上方に配置され、第1の方向に長さを有する第1の半導体フィンと、
前記第1の半導体フィンの上に配置された第1のゲート構造であって、前記第1の方向と直交する第2の方向に、第2の端部と向かい合う第1の端部を有する前記第1のゲート構造と、
前記第1の半導体フィンを中央とするゲートエッジ分離構造の対と、
前記第1のゲート構造の両側で、前記第1の半導体フィンの中に配置されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域の上に配置された第1のトレンチコンタクト及び前記ドレイン領域の上に配置された第2のトレンチコンタクトと
を備え、
前記ゲートエッジ分離構造の対のうち第1のゲートエッジ分離構造は、前記第1のゲート構造の前記第1の端部に直接隣接して配置され、前記ゲートエッジ分離構造の対のうち第2のゲートエッジ分離構造は、前記第1のゲート構造の前記第2の端部に直接隣接して配置され、
前記第1のトレンチコンタクト及び前記第2のトレンチコンタクトのそれぞれは、前記第2の方向に、第2の端部と向かい合う第1の端部を有し、
前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第1のゲートエッジ分離構造は、前記第1のトレンチコンタクトの前記第1の端部、及び前記第2のトレンチコンタクトの前記第1の端部に直接隣接して配置され、前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第2のゲートエッジ分離構造は、前記第1のトレンチコンタクトの前記第2の端部、及び前記第2のトレンチコンタクトの前記第2の端部に直接隣接して配置される
半導体構造。
IPC (4件):
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/823
, H01L 27/092
FI (6件):
H01L29/78 301X
, H01L29/78 301C
, H01L29/78 301Y
, H01L29/78 301G
, H01L27/092 D
, H01L27/092 F
Fターム (53件):
5F048AA01
, 5F048AB04
, 5F048AC03
, 5F048BB08
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BD06
, 5F048BF06
, 5F048BF07
, 5F048BF15
, 5F048BG03
, 5F048BG13
, 5F140AA39
, 5F140AB03
, 5F140AC01
, 5F140BA01
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BA06
, 5F140BA07
, 5F140BA08
, 5F140BA09
, 5F140BB05
, 5F140BD01
, 5F140BD04
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BF05
, 5F140BF06
, 5F140BF07
, 5F140BF08
, 5F140BF10
, 5F140BF11
, 5F140BF15
, 5F140BF17
, 5F140BF18
, 5F140BF60
, 5F140BG11
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG36
, 5F140BJ05
, 5F140BJ07
, 5F140BJ27
, 5F140BK27
, 5F140CB04
, 5F140CC03
, 5F140CC08
, 5F140CC09
, 5F140CE07
引用特許:
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