特許

J-GLOBAL ID：200903098541288860

半導体装置及びその製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (4件)： 児玉 俊英 ,  大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-153912
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356472
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】ゲート電極またはゲート配線あるいはその両方を低抵抗にすることができ、また、CMIS回路においても閾値電圧の制御が可能になる半導体装置及びその製造方法の提供を目的とするものである。【解決手段】埋込み酸化層1に突出するように形成されたソース領域2a、チャネル領域2及びドレイン領域2bとなるシリコン層と、チャネル領域2をゲート絶縁膜3を介して3方向から覆うゲート電極4とを有するFET、ゲート電極4の突出方向面が露出するように上記シリコン層を埋設する層間絶縁膜5、露出したゲート電極4の突出方向の面に電気的に接続されたゲート配線6を備えたものとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に突出するように形成されたソース領域、チャネル領域及びドレイン領域となるシリコン層と、上記シリコン層表面に形成された絶縁膜と、上記チャネル領域を上記絶縁膜を介して3方向から覆うゲート電極とを有するFET、 上記ゲート電極の突出方向の面が露出するように上記シリコン層を埋設する層間絶縁膜、 上記露出したゲート電極の突出方向の面に電気的に接続されたゲート配線、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (9件)：

H01L29/78 617K ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/58 G

Fターム (92件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F048AA01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BD06 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BF15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE36 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE50 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-224740   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-191253   出願人：ソニー株式会社
• 相補型集積回路とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052323   出願人：日本電気株式会社