特許
J-GLOBAL ID：201803019736095970

発光ダイオード

発明者：
キム,デ-ウォン

キム,デ-ウォン について


出願人/特許権者：
ルーメンス カンパニー リミテッド

ルーメンス カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-071697
公開番号（公開出願番号）：特開2018-113477
出願日： 2018年04月03日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：
【課題】短波長(UVA波長)帯域の光を用いる発光ダイオードにおいて、従来のアルミニウムが反射層に使用される場合の多様な短所を克服し、光抽出効率を向上させた発光ダイオードを提供する。【解決手段】本発明の発光ダイオードは、第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層と、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との間に形成される活性層と、第2導電型半導体層の一面に形成された第2導電型反射層と、第2導電型半導体層の他面に形成されて短波長(UVA波長)帯域及び青色波長帯域の光を反射する反射部と、を備え、第2導電型反射層は低屈折率層及び低屈折率層に隣接する高屈折率層を含み、短波長(UVA波長)帯域の光を反射させるDBRユニット層を含み、反射部は、第2導電型中間層と、短波長(UVA波長)帯域及び青色波長帯域の光を反射させるための金属反射層と、を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
前面及び背面を有する第1導電型半導体層と、 前面及び背面を有する第2導電型半導体層と、 前記第1導電型半導体層の背面と前記第2導電型半導体層の前面との間に形成された活性層と、 前記第2導電型半導体層の背面上に形成された第2導電型反射層と、 前記第2導電型半導体層とは反対側である前記第2導電型反射層の背面上に形成されて短波長(UVA波長)帯域及び青色波長帯域の光を反射する反射部と、を備え、 前記第2導電型反射層は、 低屈折率層と、前記低屈折率層に隣接する高屈折率層と、を含み、 短波長(UVA波長)帯域である315nm〜420nm波長帯域の光を反射させるDBR(distributed Bragg reflector)ユニット層を含み、 前記反射部は、 オーミックコンタクトを向上させるための第2導電型中間層と、 前記短波長(UVA波長)帯域及び青色波長帯域の光を反射させるための金属反射層と、を含むことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/10 ,  H01L 33/40 ,  H01L 33/14
FI (3件)：
H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/14
Fターム (8件)：
5F241AA03 ,  5F241CA04 ,  5F241CA13 ,  5F241CA40 ,  5F241CA58 ,  5F241CA83 ,  5F241CA86 ,  5F241CB15
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (12件)
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