特許
J-GLOBAL ID：201803020564140615

加工基板上のチップスケールパッケージの固体デバイス用のリフトオフ工程

発明者：
オドノブリュードフ,ウラジミール

オドノブリュードフ,ウラジミール について

, 
バセリ,セム

バセリ,セム について


出願人/特許権者：
クロミス,インコーポレイテッド

クロミス,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 岡部 憲昭 ,  穐場 仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-521302
公開番号（公開出願番号）：特表2018-533845
出願日： 2016年10月10日
公開日（公表日）： 2018年11月15日
要約：
加工基板構造体を処理する方法は、多結晶基板と、該多結晶基板を封止する加工層とを含む加工基板構造体を提供することと、加工層に結合された犠牲層を形成することと、犠牲層に固体デバイス構造体を接合することと、固体デバイス構造体の1つ以上の部分を除去して犠牲層の1つ以上の部分を露出することによって固体デバイス構造体内に1つ以上のチャネルを形成することと、エッチング薬液を1つ以上のチャネルを通って犠牲層の1つ以上の露出部まで流すことと、エッチング薬液と犠牲層との間の相互作用によって犠牲層を溶解し、それにより固体デバイス構造体から加工基板構造体を分離することとを含む。
請求項（抜粋）：
加工基板構造体を処理する方法であって、前記方法は、 多結晶基板と、 前記多結晶基板を封止する加工層と を含む加工基板構造体を提供することと、 前記加工層に結合された犠牲層を形成することと、 前記犠牲層に固体デバイス構造体を接合することと、 前記固体デバイス構造体の1つ以上の部分を除去して前記犠牲層の1つ以上の部分を露出することによって前記固体デバイス構造体内に1つ以上のチャネルを形成することと、 エッチング薬液を前記1つ以上のチャネルを通って前記犠牲層の前記1つ以上の露出部まで流すことと、 前記エッチング薬液と前記犠牲層との間の相互作用によって前記犠牲層を溶解し、それにより前記固体デバイス構造体から前記加工基板構造体を分離することと を含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 33/48
FI (2件)：
H01L21/306 N ,  H01L33/48
Fターム (16件)：
5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043DD18 ,  5F043DD21 ,  5F043GG01 ,  5F142AA52 ,  5F142BA02 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142DA02 ,  5F142DA14 ,  5F142DA73 ,  5F142FA32 ,  5F142FA46 ,  5F142FA48 ,  5F142FA50
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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