特許
J-GLOBAL ID：201403064276838672

基板再生方法及び再生基板

発明者：
チェ、ジュ ウォン

チェ、ジュ ウォン について

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キム、チャン ヨン

キム、チャン ヨン について

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ホ、ジョン フン

ホ、ジョン フン について

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キム、ユン ウグ

キム、ユン ウグ について

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ホン、ス ヨン

ホン、ス ヨン について

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リュ、サン ウァン

リュ、サン ウァン について


出願人/特許権者：
ソウル バイオシス カンパニー リミテッド

ソウル バイオシス カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-238523
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103397
出願日： 2013年11月19日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】基板再生方法及び再生基板を開示する。【解決手段】基板再生方法は、エピタキシャル層から分離された表面を有する基板を準備し、基板表面を電気化学エッチング技術を用いてエッチングし、電気化学エッチング技術を用いてエッチングされた表面を、化学エッチング、乾式エッチング、又は化学機械的研磨技術を用いて除去することを含む。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
エピタキシャル層から分離された表面を有する基板を準備し、 前記基板表面を電気化学エッチング技術を用いてエッチングし、 前記電気化学エッチング技術を用いてエッチングされた表面を、化学エッチング若しくは乾式エッチング技術を用いてエッチングするか、又は化学機械的研磨技術を用いて除去することを含む基板再生方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (3件)：
H01L21/306 L ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622W
Fターム (13件)：
5F043AA05 ,  5F043AA40 ,  5F043BB10 ,  5F043BB25 ,  5F043DD14 ,  5F043DD15 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10 ,  5F057AA43 ,  5F057BA11 ,  5F057BB06 ,  5F057BB12 ,  5F057DA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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