特許
J-GLOBAL ID：201803020589905969
高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
好宮 幹夫
, 小林 俊弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-519701
特許番号：特許第6246982号
出願日： 2016年10月25日
要約：
【要約】 本発明は、第一導電型を有する半導体基板の両主表面に凹凸を形成する工程、半導体基板の第一主表面に、エミッタ層を形成する工程、エミッタ層上に拡散マスクを形成する工程、拡散マスクをパターン状に除去する工程、拡散マスクを除去した箇所に、ベース層を形成する工程、残存させた拡散マスクを除去する工程、第一主表面上に誘電体膜を形成する工程、ベース層上にベース電極を形成する工程、エミッタ層上にエミッタ電極を形成する工程を有する太陽電池の製造方法である。これにより、工数を削減しつつも高い光電変換効率を示す太陽電池の製造方法が提供される。
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第一導電型を有する半導体基板の両主表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成された半導体基板の第一主表面に、前記第一導電型と反対の導電型である第二導電型を有し、かつ、凹凸を有するエミッタ層を形成する工程と、
該凹凸を有するエミッタ層上に拡散マスクを形成する工程と、
前記拡散マスクをパターン状に除去し、除去した箇所以外の拡散マスクを残存させる工程と、
前記第一主表面の前記拡散マスクを除去した箇所に、前記第一導電型を有し、かつ、前記半導体基板よりも高いドーパント濃度を有するベース層を形成する工程と、
前記残存させた拡散マスクを除去する工程と、
前記第一主表面上に誘電体膜を形成する工程と、
前記ベース層上にベース電極を形成する工程と、
前記エミッタ層上にエミッタ電極を形成する工程と
を有し、
前記拡散マスクをパターン状に除去する工程の後、かつ、前記ベース層を形成する工程の前に、前記拡散マスクを除去した箇所の半導体基板表面をアルカリ水溶液を用いてエッチングし、
前記エッチングにより、前記第一主表面上に表面が平坦である凹部を形成し、該凹部の平坦性をPV値で1μm未満とすることを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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